안녕하십니까? 몇가지 질문이 있어 메일을 보내게 되었습니다.
crystal oscillator등의 frequency tollerance에 관계된 질문입니다만, 만약 nominal 주파수에서 fix 되지 않은, 즉 에러가 발생하였을 경우 기존 기본 주파수에서 벗어나는 정도 (시간 단위로 clock drift 범위)가 어느 정도인지 알고 싶습니다.
그리고, frequency tollerance 양이 상대적으로 큰 제품이 나와 있는지 알고 싶습니다.
연구 내용 중 기준 clock의 time drift를 이용해야 하는 부분이 있는데 자료 찾기가 무척 힘이 드네요. 그럼, 답변 기다리고 있겠습니다 읽어 주셔서 감사 합니다. 좋은 하루 되십시오.
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[질문1]. freq. swing현상과 clock 관계
:질문내용은 short term에서 freq. 변화량으로 생각됩니다.
ⓐ 일반적으로 수정진동자는 short term에서 1~3ppm이내의 drift가 발생되며,
ⓑ 이 수정진동자를 발진회로에 적용했을때 1ps~100ps 정도입니다
[질문2]. freq. tolerance양이 큰 제품이 있는지?:
질문내용은 수정진동자의 tolerance보다는 stability 로 생각됩니다.
ⓐ 귀하가 필요로하는것과 가속기에 적용되는 수정진동자 sensor를 개발하고자
시도했던 과정과 유사한 특성을 요구하는것으로 생각됩니다.
그러나 crystal resonsator로는 원하는 특성을 발견하지 못했습니다.절단각도를 찾지못해 도중에 중단했던 사례가 있었습니다.
ⓑ 그러나 외부환경에 따라 "S"자 또는"∩"자 특성보다 "／"형태가 필요하다면 ceramic resonator를 적용하는 방법도 고려해볼 필요가 있습니다.
2007년 11월 12일 월요일
X-Tal 문의 드립니다.
안녕하세요? 문의 드립니다.저희 회사는 통신기기 생산 회사입니다.
저희가 X-Tal을 사용을 하는데, 공급회사에서 납기문제로 인하여, Stock업체로
부터 물건을 구입해 사용을 했습니다. 그런데, 제품에 문제가 생겨 확인결과
X-Tal을 기존 제품으로 변경을 하였더니 작동이 정상적으로 되었습니다.
그래서 X-Tal의 문제를 제기 했더니, X-tal은 정상 제품이라고 합니다.
이런경우가 있는지요?이런경우 어떤문제인지요?바쁘시겠지만 답변 부탁드립니다. 감사합니다.
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1.현상수정진동자 구입처에 사용중에있는 제품의 spec.을 제시한 후 그조건에
맞는 제품을 납품받아 생산에 투입했으나, trouble이 발생된 것으로 추정됩니
다.
2.Trouble 현상서술된 내용으로 추정했을때 trouble 현상은 발진 dead보다는 modulation or pullability와 관계된 error로 판단됩니다.이러한 특성은 수정진동자의 parameter와 관계가 있는데 관련된 factor는 대부분 customer spec.에 명시하지 않습니다.
따라서 modulation or pullability특성을 적용한 회로는 주의해서 적용해야 됩니다.
3. 의견수정진동자를 측정하는 계측기와 생산품의 발진단 특성은 동일하지 않습니다.
또한 수정진동자를 측정하는 계측기는 수정진동자 업체마다 기종이 다를수가 있으며, 같은기종이라도 1ppm ~ 10ppm까지 오차가 발생되는 경우도 있습니다. 따라서 RF에 적용되는 수정진동자를 적용할때는 interface를 평가할수 있도록수정진동자 제조업체에서 요구하는 사항을 제공해야 됩니다.
(예를들면)
ⓐ제품의 편차가 "zero ppm"인 두개의 수정진동자를 동일한 회로에 적용했고, CH. Freq.가 447.7MHz FM변조일때
ⓑ한개의 시료는 3KHz 가변되고, 다른 시료는 4KHz로 가변되는 현상이 발생될수 있습니다.이러한 현상에 의해 허용되는 freq. deviation 에서 같은 편차를 가진 시료를 set에 적용했을때 freq. adjustment error가 발생되는 시료가 있을수 있습니다.
ⓒΔF에서 한개의 시료는 3KHz인데, 다른시료는 1KHz로 output될수도 있습니다.
저희가 X-Tal을 사용을 하는데, 공급회사에서 납기문제로 인하여, Stock업체로
부터 물건을 구입해 사용을 했습니다. 그런데, 제품에 문제가 생겨 확인결과
X-Tal을 기존 제품으로 변경을 하였더니 작동이 정상적으로 되었습니다.
그래서 X-Tal의 문제를 제기 했더니, X-tal은 정상 제품이라고 합니다.
이런경우가 있는지요?이런경우 어떤문제인지요?바쁘시겠지만 답변 부탁드립니다. 감사합니다.
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1.현상수정진동자 구입처에 사용중에있는 제품의 spec.을 제시한 후 그조건에
맞는 제품을 납품받아 생산에 투입했으나, trouble이 발생된 것으로 추정됩니
다.
2.Trouble 현상서술된 내용으로 추정했을때 trouble 현상은 발진 dead보다는 modulation or pullability와 관계된 error로 판단됩니다.이러한 특성은 수정진동자의 parameter와 관계가 있는데 관련된 factor는 대부분 customer spec.에 명시하지 않습니다.
따라서 modulation or pullability특성을 적용한 회로는 주의해서 적용해야 됩니다.
3. 의견수정진동자를 측정하는 계측기와 생산품의 발진단 특성은 동일하지 않습니다.
또한 수정진동자를 측정하는 계측기는 수정진동자 업체마다 기종이 다를수가 있으며, 같은기종이라도 1ppm ~ 10ppm까지 오차가 발생되는 경우도 있습니다. 따라서 RF에 적용되는 수정진동자를 적용할때는 interface를 평가할수 있도록수정진동자 제조업체에서 요구하는 사항을 제공해야 됩니다.
(예를들면)
ⓐ제품의 편차가 "zero ppm"인 두개의 수정진동자를 동일한 회로에 적용했고, CH. Freq.가 447.7MHz FM변조일때
ⓑ한개의 시료는 3KHz 가변되고, 다른 시료는 4KHz로 가변되는 현상이 발생될수 있습니다.이러한 현상에 의해 허용되는 freq. deviation 에서 같은 편차를 가진 시료를 set에 적용했을때 freq. adjustment error가 발생되는 시료가 있을수 있습니다.
ⓒΔF에서 한개의 시료는 3KHz인데, 다른시료는 1KHz로 output될수도 있습니다.
2007년 10월 22일 월요일
공진 주파수 pulling, push ???
아래 내용에 대한 자세한 설명 좀 부탁 드립니다.
리액턴스가 용량성이면 공진 주파수가 pulling되고, 유도성이면 push됩니다.
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1.용어의 의미발진단에서 수정진동자와 합성된 device가 capacitance 일때는 main response를
"끌어올린다"는 뜻으로pulling 이라고 표현했고, 공식 용어이지만 "push"는 수정 진동자와 합성된 device가 inductance일때 main response를 "끌어내린다"는 뜻으로 서로간의 구분 및 혼돈을 피하기 위해 당사에서만 사용하는 용어입니다.
2. 서술수정진동자와 capacitance가 합성하면 수정진동자의 parameter는 변화합니다.
예를들면
C1'=(C1)/[{(1+Co/C1)^2}+{(C1/Cx)(1+Co/Cx)]C0'=(C0*Cx)/(Co+Cx)L1'=L1(1+C0/Cx)로 변환되 주파수를 pulling시키는 결과가 나타납니다.
3. 측정치일반적인 예로
1)Let수정진동자 f=9.994950[MHz]
2) 이 수정진동자에 10[pF]의 capacitance가 연결되면 수정진동자의 주파수는 10,003,000Hz로 pulling 됩니다만
3) 이 수정진동자에 1.0[uH]의 inductance가 연결되면 수정진동자의 주파수는 9,994,425[Hz]로 push 됩니다
gm(mutual conductance)는 Tr 또는 FET 등가회로에서특성 평가를 위한 factor중 하나입니다.
1. Tr version(Tr등가회로에서)gm=Emitter 전류변화량/Base 전압변화량hfe*ib=gm*vb'e=gm*rb'e*ib
2. FET version(J or MOS FET 등가회로에서)gm=Drain 전류변화량/Gate 전압변화량id=gm*vgs+(1/rd)*vds으로 간략화 시킬수 있습니다.
예를들면
TR version에서 회로측의 impedance를 계산하면ZL=-R+jXL=-[gm/{w^2(Cb'e+C1)C2}]+[1/{jw(Cb'e+C1)}]+1/jwC2 입니다.이값은 발진단의 부성저항을 계산할수있는 중요 factor 입니다.
리액턴스가 용량성이면 공진 주파수가 pulling되고, 유도성이면 push됩니다.
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1.용어의 의미발진단에서 수정진동자와 합성된 device가 capacitance 일때는 main response를
"끌어올린다"는 뜻으로pulling 이라고 표현했고, 공식 용어이지만 "push"는 수정 진동자와 합성된 device가 inductance일때 main response를 "끌어내린다"는 뜻으로 서로간의 구분 및 혼돈을 피하기 위해 당사에서만 사용하는 용어입니다.
2. 서술수정진동자와 capacitance가 합성하면 수정진동자의 parameter는 변화합니다.
예를들면
C1'=(C1)/[{(1+Co/C1)^2}+{(C1/Cx)(1+Co/Cx)]C0'=(C0*Cx)/(Co+Cx)L1'=L1(1+C0/Cx)로 변환되 주파수를 pulling시키는 결과가 나타납니다.
3. 측정치일반적인 예로
1)Let수정진동자 f=9.994950[MHz]
2) 이 수정진동자에 10[pF]의 capacitance가 연결되면 수정진동자의 주파수는 10,003,000Hz로 pulling 됩니다만
3) 이 수정진동자에 1.0[uH]의 inductance가 연결되면 수정진동자의 주파수는 9,994,425[Hz]로 push 됩니다
gm(mutual conductance)는 Tr 또는 FET 등가회로에서특성 평가를 위한 factor중 하나입니다.
1. Tr version(Tr등가회로에서)gm=Emitter 전류변화량/Base 전압변화량hfe*ib=gm*vb'e=gm*rb'e*ib
2. FET version(J or MOS FET 등가회로에서)gm=Drain 전류변화량/Gate 전압변화량id=gm*vgs+(1/rd)*vds으로 간략화 시킬수 있습니다.
예를들면
TR version에서 회로측의 impedance를 계산하면ZL=-R+jXL=-[gm/{w^2(Cb'e+C1)C2}]+[1/{jw(Cb'e+C1)}]+1/jwC2 입니다.이값은 발진단의 부성저항을 계산할수있는 중요 factor 입니다.
GFSK변조 방식
검색하다 보니 GFSK변조 방식에 대한 자료가 있으신듯 해서...
FSK방식과의 차이와 Gaussian Filter의 역할 등에 대해서 좀 상세히 알고 싶어서 문의를 드립니다..
죄송스럽지만 답변을 주시면 감사하겠습니다공부하는 입장이라서 잘 몰라서요..^^;
---------------------------------------------------------------------------------
수정진동자와 관련 생산 ,개발등이 주업무인 관계로 님께서 요구하신 RF에서 GFSK의 가우시안 filter에 대한 design 기술은 없습니다.당사의 소중한 방문자님께 도움을 드리지 못해 미안 합니다.
1. 가우시안 filter미분회로의 일종으로 알고 있습니다.group delay에 의한 plate를 sine wave로 만들어주는 역활을 합니다.filter는 가우시안 함수 ,window함수로 설계를하는데 본 관리자는 부족함이 많아 design 능력이 안됩니다.
FSK방식과의 차이와 Gaussian Filter의 역할 등에 대해서 좀 상세히 알고 싶어서 문의를 드립니다..
죄송스럽지만 답변을 주시면 감사하겠습니다공부하는 입장이라서 잘 몰라서요..^^;
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수정진동자와 관련 생산 ,개발등이 주업무인 관계로 님께서 요구하신 RF에서 GFSK의 가우시안 filter에 대한 design 기술은 없습니다.당사의 소중한 방문자님께 도움을 드리지 못해 미안 합니다.
1. 가우시안 filter미분회로의 일종으로 알고 있습니다.group delay에 의한 plate를 sine wave로 만들어주는 역활을 합니다.filter는 가우시안 함수 ,window함수로 설계를하는데 본 관리자는 부족함이 많아 design 능력이 안됩니다.
오실레이터 freq tolerance 측정방법
오실레이터 freq tolerance 측정방법에 대해 문의드립니다보통 25ppm으로 표시 되어있는데 가끔 주파수가 흔들림에 있서 오동작을 하는 경우가있는거 같아서요....
어떤 특정한 장비를 이용해야하는건지 아님 다른 방법이 있는지 측정방법에대하여 알려주시면 감사하겠습니다.
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1. OSC 측정방법
1) C-MOS,TTL,ECL등 OSC 제품의 IMPEDANCE 조건과 일치되는 Test Circuit에 적용해서 Oscilloscope,counter로 출력파형 특성 평가 및 주파수를 측정하는 방법과
2) Spectrum Analyzer로 시간에 따른 주파수 변화궤적을 그려 swing 현상을 평가하는 방법등이있습니다.
2. 주파수 흔들림과 오동작에 대한 의견
1) ±25ppm의 OSC를 적용하는 set라면 종류 및 용도는 알수 없으나, 범용set로 판단됩니다.
2) 따라서 일반적인 spec.으로 허용범위가 적용되고있는 set에서 주파수에 의한 오동작이 발생되었다면 초기에 설정된 spec. 오류로 추정됩니다.
3) 일반적인 OSC는 ±3ppm 정도 swing 현상이 발생될수 있습니다.(이정도의 swing 현상이 오류를 발생시킨다면spec.에 대한 재검토가 필요합니다.)
4) 그러나 주파수 흔들림 현상이 freq. jump(30KHz이상 jump)를 일으키면 inhamonics가 원인입니다.전원 on-off를 반복했을때 이러한 현상이 발생되었다면 OSC의 결함으로 판단됩니다.
5) 또다른 현상에는 전원 on-off를 반복했을때배주파수로 drift되면 hamonic에 의한 원인으로IC 또는 진동편에 결함이 있을수 있습니다.
6) 또는 주파수 흔들림에는 impedance에 의한jitter또는 기구적 결함에 의한 경발진 현상이 있을수있습니다.
3. 당사에 trouble 시료를 제공해 주시면 원인을 평가하고, 개선 방안을 드리겠습니다.
어떤 특정한 장비를 이용해야하는건지 아님 다른 방법이 있는지 측정방법에대하여 알려주시면 감사하겠습니다.
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1. OSC 측정방법
1) C-MOS,TTL,ECL등 OSC 제품의 IMPEDANCE 조건과 일치되는 Test Circuit에 적용해서 Oscilloscope,counter로 출력파형 특성 평가 및 주파수를 측정하는 방법과
2) Spectrum Analyzer로 시간에 따른 주파수 변화궤적을 그려 swing 현상을 평가하는 방법등이있습니다.
2. 주파수 흔들림과 오동작에 대한 의견
1) ±25ppm의 OSC를 적용하는 set라면 종류 및 용도는 알수 없으나, 범용set로 판단됩니다.
2) 따라서 일반적인 spec.으로 허용범위가 적용되고있는 set에서 주파수에 의한 오동작이 발생되었다면 초기에 설정된 spec. 오류로 추정됩니다.
3) 일반적인 OSC는 ±3ppm 정도 swing 현상이 발생될수 있습니다.(이정도의 swing 현상이 오류를 발생시킨다면spec.에 대한 재검토가 필요합니다.)
4) 그러나 주파수 흔들림 현상이 freq. jump(30KHz이상 jump)를 일으키면 inhamonics가 원인입니다.전원 on-off를 반복했을때 이러한 현상이 발생되었다면 OSC의 결함으로 판단됩니다.
5) 또다른 현상에는 전원 on-off를 반복했을때배주파수로 drift되면 hamonic에 의한 원인으로IC 또는 진동편에 결함이 있을수 있습니다.
6) 또는 주파수 흔들림에는 impedance에 의한jitter또는 기구적 결함에 의한 경발진 현상이 있을수있습니다.
3. 당사에 trouble 시료를 제공해 주시면 원인을 평가하고, 개선 방안을 드리겠습니다.
크리스탈의 공진 주파수를 알고 싶은데요.
공진 주파수 측정을 어떻게 하는지 궁금합니다. 일반 CMOS 발진회로를 사용하지는 않을 것 같고 특별한 장비가 있나요? 제 생각에는 일반적인 CMOS 발진회로에서 CMOS만을 떼어내고
인버터의 출력 부분에 가변되는 주파수를 공급하고 인버터 출력에 직렬로 연결된 저항의
통과 전류가 최대인점이 공진 주파수 일 듯 한데요. 이렇게 하면 될까요?
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질문하신 내용은 논리발진 회로로 생각됩니다.추정과 실제는 차이가 있으므로 질문내용을 조정해서 답글을 올립니다.
1. 수정진동자의 공진주파수를 측정하는 방법 수정진동자는 수동소자이므로 외부에서 인가되는 신호들중 수정진동자의 자기발진 신호와 일치 되는 주파수에서 공진이 일어납니다. 공진주파수를 측정하는 방법에는
ⓐ Impedance Analyzer를 이용해서 측정
ⓑ Network Analyzer를 이용해서 측정하는 방법
ⓒ Vector meter로 측정하는 방법
ⓓ 피어스,콜핏츠,논리 발진뢰로를 구성해서 측정하는 방법이 있습니다.
2. 발진회로중 인버터를 이용한 측정방법
ⓐ인버터를 이용한 발진회로는 콜핏츠형 발진회로의 변형입니다.
ⓑ인버터는 CMOS(FET version)과 TTL(TR version)으로 구분하고 있습니다.
ⓒ발진회로는 궤환용인 Rf와 Load인 Rd 저항이 적용되며 Rf는 이득 또는 발진 대역과 관계되며 Rd는 damping 저항으로 Impedance matching과 관계됩니다. 즉 FET나 TR의 발진 최대 주파수 한계를 갖고있고, 주변 device와 결합해서 광대역 또는 협대역의 발진주파수를 갖게 되며 이때 발생된 범위의 주파수가 수정진동자의 자기발진 주파수와 일치될때 공진이 일어납니다.
3. 발진주파수를 조정하는 방법
ⓐ일반적으로 freq. adjustment는 발진회로에 구성된 condenser로 조정합니다.
ⓑ전압에 따라 capacitance가 가변되는 VCD를 이용해서 주파수를 조정하는 방법도 있습니다.
ⓒ피어스 CB형으로 구성된 IC에서 저항으로 주파수를 조정하는 방법도 있습니다만, 주파수 변화가 민감해 trouble이 발생될수 있습니다.
- 문제원인
1. Board에 알수없는 수정진동자가 적용되어있는데 그특성을 check하고 싶다면 전원 인가후 발진단 다음 gate에서 측정하면 그특성 check가 가능한것으로 사료 됩니다.
2. 주파수 제너레이터를 이용한 측정과 인버터로 구성된 발진단에서 특성을 측정하는 방법은 유사한 측정 방법으로 생각됩니다. 단. 인버터로 구성된 발진단에서 측정했을때는 발진단을 구성한 주변 device에 의해 pulling된 특성이 측정됩니다.
3. 공진과 발진의 개념을 엄격히 구분하면 다릅니다.
4. 그러한 개념때문에 단품의 공진특성을 평가하고 싶다면 님께서 하고자하는 방법을 다소 변경해서 측정하면 됩니다.
5. 의견
ⓐ Board에서 mount된 수정진동자를 분리합니다.
ⓑ 주파수 제너레이터의 신호를 수정진동자에 인가하고 공진특성을 chek하기 위해서는 단자망을 구성해야 됩니다. 즉 impedance matching을 위한 π-curcuit를 만들고
ⓒ 입력단에 주파수 제너레이터를 인가해서 출력단에서 공진특성을 check하면 됩니다.
ⓔ 공진은 Z≒R인 점을 참고 바랍니다.
인버터의 출력 부분에 가변되는 주파수를 공급하고 인버터 출력에 직렬로 연결된 저항의
통과 전류가 최대인점이 공진 주파수 일 듯 한데요. 이렇게 하면 될까요?
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질문하신 내용은 논리발진 회로로 생각됩니다.추정과 실제는 차이가 있으므로 질문내용을 조정해서 답글을 올립니다.
1. 수정진동자의 공진주파수를 측정하는 방법 수정진동자는 수동소자이므로 외부에서 인가되는 신호들중 수정진동자의 자기발진 신호와 일치 되는 주파수에서 공진이 일어납니다. 공진주파수를 측정하는 방법에는
ⓐ Impedance Analyzer를 이용해서 측정
ⓑ Network Analyzer를 이용해서 측정하는 방법
ⓒ Vector meter로 측정하는 방법
ⓓ 피어스,콜핏츠,논리 발진뢰로를 구성해서 측정하는 방법이 있습니다.
2. 발진회로중 인버터를 이용한 측정방법
ⓐ인버터를 이용한 발진회로는 콜핏츠형 발진회로의 변형입니다.
ⓑ인버터는 CMOS(FET version)과 TTL(TR version)으로 구분하고 있습니다.
ⓒ발진회로는 궤환용인 Rf와 Load인 Rd 저항이 적용되며 Rf는 이득 또는 발진 대역과 관계되며 Rd는 damping 저항으로 Impedance matching과 관계됩니다. 즉 FET나 TR의 발진 최대 주파수 한계를 갖고있고, 주변 device와 결합해서 광대역 또는 협대역의 발진주파수를 갖게 되며 이때 발생된 범위의 주파수가 수정진동자의 자기발진 주파수와 일치될때 공진이 일어납니다.
3. 발진주파수를 조정하는 방법
ⓐ일반적으로 freq. adjustment는 발진회로에 구성된 condenser로 조정합니다.
ⓑ전압에 따라 capacitance가 가변되는 VCD를 이용해서 주파수를 조정하는 방법도 있습니다.
ⓒ피어스 CB형으로 구성된 IC에서 저항으로 주파수를 조정하는 방법도 있습니다만, 주파수 변화가 민감해 trouble이 발생될수 있습니다.
- 문제원인
1. Board에 알수없는 수정진동자가 적용되어있는데 그특성을 check하고 싶다면 전원 인가후 발진단 다음 gate에서 측정하면 그특성 check가 가능한것으로 사료 됩니다.
2. 주파수 제너레이터를 이용한 측정과 인버터로 구성된 발진단에서 특성을 측정하는 방법은 유사한 측정 방법으로 생각됩니다. 단. 인버터로 구성된 발진단에서 측정했을때는 발진단을 구성한 주변 device에 의해 pulling된 특성이 측정됩니다.
3. 공진과 발진의 개념을 엄격히 구분하면 다릅니다.
4. 그러한 개념때문에 단품의 공진특성을 평가하고 싶다면 님께서 하고자하는 방법을 다소 변경해서 측정하면 됩니다.
5. 의견
ⓐ Board에서 mount된 수정진동자를 분리합니다.
ⓑ 주파수 제너레이터의 신호를 수정진동자에 인가하고 공진특성을 chek하기 위해서는 단자망을 구성해야 됩니다. 즉 impedance matching을 위한 π-curcuit를 만들고
ⓒ 입력단에 주파수 제너레이터를 인가해서 출력단에서 공진특성을 check하면 됩니다.
ⓔ 공진은 Z≒R인 점을 참고 바랍니다.
LVPECL & LVDS OSC문의
무더운 날씨에 대단히 수고가 많으십니다.
LVPECL & LVDS 오실레이터에 대해 알고 싶습니다.
또한 일반 오실레이터와의 차이점도 궁금합니다.
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퍼스널 컴퓨터와 computer 주변장치에 적용되는 clock signal은 TTL or C-MOS level이 주류를 이루었으나 graphic system과 같은 고성능 고해상도 및 고속처리를 해야되는 CLOCL OSC요구가 절실해졌습니다.즉 전자 system이 점차 고속,고성능이 요구되면서 속도 제한특성인 ransistor storage time을 제거하고 비포화 상태를 갖는 logic으로 매우 높은 응답속도를 갖는 ECL(Emitter Couple Logic)이개발되었으며, 이를 근간으로 차동신호를 사용하여 고속 데이타 전송 및 낮은 소비전력과 뛰어난 noise 내성과 낮은 noise 가 생성되는 LVPECL.LVDS로 진화되었습니다.
1. 용어
ⓐTTL ( Transistor Transistor Logic)
ⓑCMOS(Complementary Metal Oxcide Semiconductor)
ⓒECL (Emitter Coupled Logic)
ⓓPECL(Pseudo Emitter Coupled Logic)
ⓔLVPECL (Low Voltage Pseudo Emitter Coupled Logic)
ⓕLVDS ( Low Voltage Differential Signals )
2. applicationLVPECL,LVDS는 뛰어난 특성으로 고해상도 평면패널 모니터 디지탈 TV를 실용화 시켰고, 국방 및 우주항공의 application에도 적용하게 되었습니다.
3. typ. 특징
1)LVDS는 rise/fall time이 nsec에서 psec로 향상됨
2)output level
ⓐ PECL의 VOL은 3.2[V] ,VOH는 4.1[V]
ⓑ LVPECL의 VOL은 1.6[V] ,VOH는 2.35[V]
ⓒ LVDS의 VOL은 1.05[V] ,VOH는 1.4[V]
LVPECL & LVDS 오실레이터에 대해 알고 싶습니다.
또한 일반 오실레이터와의 차이점도 궁금합니다.
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퍼스널 컴퓨터와 computer 주변장치에 적용되는 clock signal은 TTL or C-MOS level이 주류를 이루었으나 graphic system과 같은 고성능 고해상도 및 고속처리를 해야되는 CLOCL OSC요구가 절실해졌습니다.즉 전자 system이 점차 고속,고성능이 요구되면서 속도 제한특성인 ransistor storage time을 제거하고 비포화 상태를 갖는 logic으로 매우 높은 응답속도를 갖는 ECL(Emitter Couple Logic)이개발되었으며, 이를 근간으로 차동신호를 사용하여 고속 데이타 전송 및 낮은 소비전력과 뛰어난 noise 내성과 낮은 noise 가 생성되는 LVPECL.LVDS로 진화되었습니다.
1. 용어
ⓐTTL ( Transistor Transistor Logic)
ⓑCMOS(Complementary Metal Oxcide Semiconductor)
ⓒECL (Emitter Coupled Logic)
ⓓPECL(Pseudo Emitter Coupled Logic)
ⓔLVPECL (Low Voltage Pseudo Emitter Coupled Logic)
ⓕLVDS ( Low Voltage Differential Signals )
2. applicationLVPECL,LVDS는 뛰어난 특성으로 고해상도 평면패널 모니터 디지탈 TV를 실용화 시켰고, 국방 및 우주항공의 application에도 적용하게 되었습니다.
3. typ. 특징
1)LVDS는 rise/fall time이 nsec에서 psec로 향상됨
2)output level
ⓐ PECL의 VOL은 3.2[V] ,VOH는 4.1[V]
ⓑ LVPECL의 VOL은 1.6[V] ,VOH는 2.35[V]
ⓒ LVDS의 VOL은 1.05[V] ,VOH는 1.4[V]
안녕하세요크리스탈 과 관련해서 질문이 있습니다.시뮬레이션을 하려 하는데요 저희가24.576MHz 등가회로의 R,L,C값을 문의하려합니다이것에 대한 정보를 알수 있는지요?
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● SX-1 type의 수정진동자 parameter
1) R L C 직렬공진회로
ⓐmotional inductance (L1)=2.0[mH] ~ 2.6[mH]
ⓑmotional capacitance (C1)=17[fF] ~ 21[fF]
ⓒmotional resistance (R1)=4.5[Ω] ~ 20[Ω]2)
병렬연결된 capacitance shunt capacitance (Co) = 4.5[pF] ~ 5.5[pF]
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● SX-1 type의 수정진동자 parameter
1) R L C 직렬공진회로
ⓐmotional inductance (L1)=2.0[mH] ~ 2.6[mH]
ⓑmotional capacitance (C1)=17[fF] ~ 21[fF]
ⓒmotional resistance (R1)=4.5[Ω] ~ 20[Ω]2)
병렬연결된 capacitance shunt capacitance (Co) = 4.5[pF] ~ 5.5[pF]
OSC 문의
안녕하십니까? 더운 날씨에 고생이 많으십니다.
① OSC 54Mhz가 18Mhz로 발진한다면 그 원인과 해결책
② OSC 내부의 IC가 타버리는 경우 원인상기 내용에 대하여 초보자들도 이해하기 쉽도록 설명해주시면 감사하겠습니다.수고하십시요~!!
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1. OSC 54Mhz가 18Mhz로 발진한다면 그 원인과 해결책
1) IC에 의해서 발생될수있는 원인 및 대책 발진회로에서 IC는 공진 대역이 형성되고 그대역에 따라 IC 종류가 구분됩니다. 대역은 협대역과 광대역으로 구분되는데 광대역 IC를 적용할 경우 54MHz로 제작된 OSC가 18MHz로 발진할수도 있습니다.
▶IC선정시 수정진동자 특성을 고려해서 선택 해야되며, 협대역 IC를 적용해야 됩니다.
2) 수정진동자에 의해 발생될수 있는 원인 및 대책 수정진동자는 기본파 제조 규격과 3rd O/T제조 규격에 차이가 있습니다. 발진과 관련된 주요 차이는 연마규격, 증착량에 차이가 있으며 특히 OSC의 경우 spring 형태의supporter로 되어 있습니다.
즉 이러한 구조는 EFD(effect fundamental device) 특성을 유도합니다. 즉 기본파 C.I보다 3rd C.I가 유효합니다.기본적인 제조조건과 차이가 있을 경우 유효한 특성을 얻을수 없습니다.
▶규정된 진동편 제조규격을 준수해야 됩니다
2. OSC 내부의 IC가 타버리는 경우 원인
1) 원인
ⓐ 전원을 역방향으로 인가했을때 IC가 파괴 됩니다.
ⓑ 보증된 인가전압 이상이 가해지면 과도전류에 의해 IC가 파괴됩니다.
ⓒ 정전기에 의해 IC가 파괴될수 있습니다.
ⓓ sink current에 의해 IC가 파괴될수 있습니다.
(OSC를 적용하는 main chip에서 OSC에 역으로 입력되는 전류)
상기와 같은 여러가지 원인에 의해 IC가 파괴됩니다. 그러나 대부분 원인은 역으로 전압이 인가되거나 과도한 인가전압에 의해 IC가 파괴되는 경우가 대부분으로 평가 됩니다.
2) 대책
정격전압, sink current 규격등 이미 규정된 규격이 있으므로 그조건에 맞도록 적용하면 됩니다. 정전기에 대한 부분은 제조업체 또는 사용자에 의해 발생될수 있으나 제조업체에서는 정전기 방지용 pad,package를 사용하고 있고 제조시 정전기 방지용 손목띠를 착용하고 작업하고 있습니다. 사용시 정전기가 발생되지 않도록 주의해서 취급 해야 됩니다.
① OSC 54Mhz가 18Mhz로 발진한다면 그 원인과 해결책
② OSC 내부의 IC가 타버리는 경우 원인상기 내용에 대하여 초보자들도 이해하기 쉽도록 설명해주시면 감사하겠습니다.수고하십시요~!!
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1. OSC 54Mhz가 18Mhz로 발진한다면 그 원인과 해결책
1) IC에 의해서 발생될수있는 원인 및 대책 발진회로에서 IC는 공진 대역이 형성되고 그대역에 따라 IC 종류가 구분됩니다. 대역은 협대역과 광대역으로 구분되는데 광대역 IC를 적용할 경우 54MHz로 제작된 OSC가 18MHz로 발진할수도 있습니다.
▶IC선정시 수정진동자 특성을 고려해서 선택 해야되며, 협대역 IC를 적용해야 됩니다.
2) 수정진동자에 의해 발생될수 있는 원인 및 대책 수정진동자는 기본파 제조 규격과 3rd O/T제조 규격에 차이가 있습니다. 발진과 관련된 주요 차이는 연마규격, 증착량에 차이가 있으며 특히 OSC의 경우 spring 형태의supporter로 되어 있습니다.
즉 이러한 구조는 EFD(effect fundamental device) 특성을 유도합니다. 즉 기본파 C.I보다 3rd C.I가 유효합니다.기본적인 제조조건과 차이가 있을 경우 유효한 특성을 얻을수 없습니다.
▶규정된 진동편 제조규격을 준수해야 됩니다
2. OSC 내부의 IC가 타버리는 경우 원인
1) 원인
ⓐ 전원을 역방향으로 인가했을때 IC가 파괴 됩니다.
ⓑ 보증된 인가전압 이상이 가해지면 과도전류에 의해 IC가 파괴됩니다.
ⓒ 정전기에 의해 IC가 파괴될수 있습니다.
ⓓ sink current에 의해 IC가 파괴될수 있습니다.
(OSC를 적용하는 main chip에서 OSC에 역으로 입력되는 전류)
상기와 같은 여러가지 원인에 의해 IC가 파괴됩니다. 그러나 대부분 원인은 역으로 전압이 인가되거나 과도한 인가전압에 의해 IC가 파괴되는 경우가 대부분으로 평가 됩니다.
2) 대책
정격전압, sink current 규격등 이미 규정된 규격이 있으므로 그조건에 맞도록 적용하면 됩니다. 정전기에 대한 부분은 제조업체 또는 사용자에 의해 발생될수 있으나 제조업체에서는 정전기 방지용 pad,package를 사용하고 있고 제조시 정전기 방지용 손목띠를 착용하고 작업하고 있습니다. 사용시 정전기가 발생되지 않도록 주의해서 취급 해야 됩니다.
crystal oscillator문의
crystal oscillator에 대해서 문의 드립니다.60MHz crystal oscillator가 필요한데 출력은 CW신호 Power 7dBm정도 필요한데요적당한 S/N를 알려주셨으면 합니다.
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1. 당사의 Oscillator중 60[MHz] 대역의 C-MOS 출력은 -8dBm ~ -10dBm에 분포하고 있습니다.( SCO-020 model인 경우 손실이 다소 적습니다.)
2. 님께서 요구하시는 CW조건과 당사의 OSC와는 차이가 있을수 있습니다.
ⓐ 당사와 관련된 OSC는 모르스 코드와 관련되었을때 Local OSC용이므로 무선통신의 직접출력과 차이가 있습니다.
ⓑ CW ( Continuous Code, Code Wave등)를 약어로 여러 분야에서 사용하고 있습니다. 따라서 당사의 제품과 원하시는 제품이 일치되는지 재확인이 필요합니다.
ⓒ 무선 햄용으로 적용할 경우 OSC를 사용하면 PLL IC에 의해 출력이 일정하지만, TR을 이용해서 수정진동자를 적용할 경우 designer가 선정한 회로 정수로 출력을 조정할수있어 편리합니다. 따라서 귀하께서 원하시는 용도는 차이가 있을수 있습니다.
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1. 당사의 Oscillator중 60[MHz] 대역의 C-MOS 출력은 -8dBm ~ -10dBm에 분포하고 있습니다.( SCO-020 model인 경우 손실이 다소 적습니다.)
2. 님께서 요구하시는 CW조건과 당사의 OSC와는 차이가 있을수 있습니다.
ⓐ 당사와 관련된 OSC는 모르스 코드와 관련되었을때 Local OSC용이므로 무선통신의 직접출력과 차이가 있습니다.
ⓑ CW ( Continuous Code, Code Wave등)를 약어로 여러 분야에서 사용하고 있습니다. 따라서 당사의 제품과 원하시는 제품이 일치되는지 재확인이 필요합니다.
ⓒ 무선 햄용으로 적용할 경우 OSC를 사용하면 PLL IC에 의해 출력이 일정하지만, TR을 이용해서 수정진동자를 적용할 경우 designer가 선정한 회로 정수로 출력을 조정할수있어 편리합니다. 따라서 귀하께서 원하시는 용도는 차이가 있을수 있습니다.
saw resonator / saw filter
안녕하세요?resonator 와 filter에 대해서 알고 싶습니다.
더불어 saw resonator과 saw filter도 알려 주시면 감사하겠습니다.
참고로 지금 막 전자에 입문해서 아무것도 모르오니 알기쉽게 설명해주시면 감사하겠습니다.수고하십시요~!!
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1.Filter 입력된 여러개의 주파수 성분중 원하는 주파수만 통과시키고 나머지 신호는 감쇄시키는 역활을 합니다.
1) Filter 특성
ⓐ 저역통과 여파기(LPF: Low Pass Filter)
: 고주파 신호는 감쇄시키고 저주파의 필요신호만 선택
ⓑ 대역통과 여파기(BPF:Band Pass Filter)
: 수신단에서 수많은 신호중 필요한 주파수만 선택
ⓒ 고역통과 여파기(HPF:High Pass Filter)
: 저주파 신호를 최소화하는데 적용
2) Filter 종류
ⓐ L.C Filter
ⓑ Ceramic Filter
ⓒ MCF(Monolithic Crystal Filter)
ⓓ SAW Filter
압전물질(LiNbO3등) 표면에 전극을 배치해서 신호가 인가되면 표면 탄성파가 발생되어 그표면 탄성파와 동조되는 특정 주파수만 통과시키고 나머지 주파수는 감쇄된다.
2. Resonator Resonance(공진)는 어떤 주파수가 같은 주파수를 만나면 더커지는 현상으로 입력된 신호의 주기와 공진 구조물(Resonator)이 가진 고유의 주기가 일치되었을때 공진이 발생됩니다.
● Resonator의 종류
ⓐ Ceramic Resonator
ⓑ Crystal Resonator
ⓒ SAW Resonator
Surface Acoustic Wave Resonator (표면 탄성파공진기)라는 소자로 표면탄성파가 고유의 신호로 적용됩니다.
더불어 saw resonator과 saw filter도 알려 주시면 감사하겠습니다.
참고로 지금 막 전자에 입문해서 아무것도 모르오니 알기쉽게 설명해주시면 감사하겠습니다.수고하십시요~!!
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1.Filter 입력된 여러개의 주파수 성분중 원하는 주파수만 통과시키고 나머지 신호는 감쇄시키는 역활을 합니다.
1) Filter 특성
ⓐ 저역통과 여파기(LPF: Low Pass Filter)
: 고주파 신호는 감쇄시키고 저주파의 필요신호만 선택
ⓑ 대역통과 여파기(BPF:Band Pass Filter)
: 수신단에서 수많은 신호중 필요한 주파수만 선택
ⓒ 고역통과 여파기(HPF:High Pass Filter)
: 저주파 신호를 최소화하는데 적용
2) Filter 종류
ⓐ L.C Filter
ⓑ Ceramic Filter
ⓒ MCF(Monolithic Crystal Filter)
ⓓ SAW Filter
압전물질(LiNbO3등) 표면에 전극을 배치해서 신호가 인가되면 표면 탄성파가 발생되어 그표면 탄성파와 동조되는 특정 주파수만 통과시키고 나머지 주파수는 감쇄된다.
2. Resonator Resonance(공진)는 어떤 주파수가 같은 주파수를 만나면 더커지는 현상으로 입력된 신호의 주기와 공진 구조물(Resonator)이 가진 고유의 주기가 일치되었을때 공진이 발생됩니다.
● Resonator의 종류
ⓐ Ceramic Resonator
ⓑ Crystal Resonator
ⓒ SAW Resonator
Surface Acoustic Wave Resonator (표면 탄성파공진기)라는 소자로 표면탄성파가 고유의 신호로 적용됩니다.
2007년 10월 19일 금요일
HCMOS/TTL output
OSC OUTPUT에서 HCMOS/TTL OUTPUT으로 구분되는데 HCMOS와 TTL이 뭘 뜻하는지 알려주십시요..
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1. 서론 증폭,발진,변조등의 작용을하는 device는 실리콘과 게르마늄으로 구성한 반도체인 Transistor와 FET가 있습니다. 이를 집적화시킨것을 IC라고 합니다.
1) TR : Transistor ( transfer of a signal through a varister)
2) FET : 전계효과 트렌지스터 ( Field Effect Transistor)
2. IC (집적회로: integrated circuit ) 변천과정 TR과 동시에 다이오드나 저항을 하나의 chip에 만들게 되면서 디지탈 IC가 출현하게 되었습니다.
1) DTL(Diode Transistor Logic)
다이오드와 TR을 조합한 최초의 chip형태로 NAND와 AND 논리회로에 응용
2) MDTL(Modified DTL)
DTL에 다이오드와 TR 추가로 level shift와 증폭작용으로 출력드라이브 능력 개선
3) TTL (Transistor Transistor Logic)
입력단이 multi emitter Transistor 형식으로 구성하고 출력단은 totem-pole 형식으로 되어있어 동작 속도가 현저히 개선됨
4) LS TTL ( Low power Sehottky TTL)
소비전력이나 동작속도 개선
5) C-MOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor)
전계효과 트렌지스터 구조에서 P채널과 N채널을 조합하여 만들어진 IC
6) HCMOS ( High Speed CMOS)
TTL계는 고속으로 동작하나 소비전력이 크고, CMOS는 소비전력이 적으나 고속으로 동작되지 못해 TR과 FET를 결합해서 소비전력과 응답속도를 개선한 device
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1. 서론 증폭,발진,변조등의 작용을하는 device는 실리콘과 게르마늄으로 구성한 반도체인 Transistor와 FET가 있습니다. 이를 집적화시킨것을 IC라고 합니다.
1) TR : Transistor ( transfer of a signal through a varister)
2) FET : 전계효과 트렌지스터 ( Field Effect Transistor)
2. IC (집적회로: integrated circuit ) 변천과정 TR과 동시에 다이오드나 저항을 하나의 chip에 만들게 되면서 디지탈 IC가 출현하게 되었습니다.
1) DTL(Diode Transistor Logic)
다이오드와 TR을 조합한 최초의 chip형태로 NAND와 AND 논리회로에 응용
2) MDTL(Modified DTL)
DTL에 다이오드와 TR 추가로 level shift와 증폭작용으로 출력드라이브 능력 개선
3) TTL (Transistor Transistor Logic)
입력단이 multi emitter Transistor 형식으로 구성하고 출력단은 totem-pole 형식으로 되어있어 동작 속도가 현저히 개선됨
4) LS TTL ( Low power Sehottky TTL)
소비전력이나 동작속도 개선
5) C-MOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor)
전계효과 트렌지스터 구조에서 P채널과 N채널을 조합하여 만들어진 IC
6) HCMOS ( High Speed CMOS)
TTL계는 고속으로 동작하나 소비전력이 크고, CMOS는 소비전력이 적으나 고속으로 동작되지 못해 TR과 FET를 결합해서 소비전력과 응답속도를 개선한 device
문의
크리스탈을 써서 Freq Tolerance ppm이 오실레이터와 같이 25ppm정도로 가능하게 하려면주변 reference회로를 받을 수 있는지도 문의드립니다.
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1. 수정진동자를 이용해서 발진회로를 구성할때 주파수 편차에 대한 구분은
ⓐ R.T : 25℃에서의 주파수편차(freq. tolerance)와
ⓑ T.C : 온도변화 (ex. -10℃~60℃)에 따른 주파수 변화(freq. stability)로 구분됩니다.
2. Oscillator에서의 ±25ppm은 R.T와 T.C를 포함한 Overall값으로 표기 합니다.따라서 귀하께서 질문하신 ±25ppm은 Overall 개념으로 간주하고 서술 드리겠습니다.
3. 의견
1) 수정진동자의 R.T 및 T.C spec.이 각각 ±10ppm으로 제작된 수정진동자를 사용하는 방법이 일반적이지만 cost가 높습니다.
2) 또다른 방법은 가변콘덴서를 적용해서 freq. tolerance를 "Zero"ppm으로 조정하고, freq. stability spec.이 ±20ppm인 제품을 적용하는 방법도 있습니다.
단. R.T spec은 가변콘덴서의 가변 범위에 따라 정해집니다.
3) 발진회로는 Philips Semiconductors의 HEX inverter 74HCU04의 data sheet중 7page 회로 조건을 적용하면 됩니다.
단. 입력단에 가변콘덴서를 적용해서 freq. tolerance가 "zero"ppm이 되는 가변 범위를 freq. tolerance(R.T) spec.으로 정하면 됩니다.
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1. 수정진동자를 이용해서 발진회로를 구성할때 주파수 편차에 대한 구분은
ⓐ R.T : 25℃에서의 주파수편차(freq. tolerance)와
ⓑ T.C : 온도변화 (ex. -10℃~60℃)에 따른 주파수 변화(freq. stability)로 구분됩니다.
2. Oscillator에서의 ±25ppm은 R.T와 T.C를 포함한 Overall값으로 표기 합니다.따라서 귀하께서 질문하신 ±25ppm은 Overall 개념으로 간주하고 서술 드리겠습니다.
3. 의견
1) 수정진동자의 R.T 및 T.C spec.이 각각 ±10ppm으로 제작된 수정진동자를 사용하는 방법이 일반적이지만 cost가 높습니다.
2) 또다른 방법은 가변콘덴서를 적용해서 freq. tolerance를 "Zero"ppm으로 조정하고, freq. stability spec.이 ±20ppm인 제품을 적용하는 방법도 있습니다.
단. R.T spec은 가변콘덴서의 가변 범위에 따라 정해집니다.
3) 발진회로는 Philips Semiconductors의 HEX inverter 74HCU04의 data sheet중 7page 회로 조건을 적용하면 됩니다.
단. 입력단에 가변콘덴서를 적용해서 freq. tolerance가 "zero"ppm이 되는 가변 범위를 freq. tolerance(R.T) spec.으로 정하면 됩니다.
GFSK 블루투스변조방식
크리스탈과 상관 없는 내용을 올려 죄송합니다.블루투스변조방식인 GFSK에 대해 알고 싶어 글을 올립니다.
answlgur83@hotmail.com로 빠른 답변 부탁드립니다.
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1) GFSK는 Gaussian Frequency Shift Keying이라고 합니다.
2) 구조 데이타 입력
▶Gaussian Filter
▶FSK변조
▶증폭 및 송신
3) 적용목적 FSK(Frequency Shift Keying)는 주파수 편이 변조로 반송파 신호 주파수를 변조하여 digital data를 송신 하는데 data인 pulse신호에 Gaussion Filter로 slice해서 Carrier Signal에 변조시키면 전파법규중 점유주파수 대역폭을 만족시키는데 원활하며, 신호 구현시 효율적이고, RF Link의 품질과 신뢰성을 향상시켜줍니다.
좀더 세부 사항은 메일로 송부드리도록 하겠습니다.
answlgur83@hotmail.com로 빠른 답변 부탁드립니다.
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1) GFSK는 Gaussian Frequency Shift Keying이라고 합니다.
2) 구조 데이타 입력
▶Gaussian Filter
▶FSK변조
▶증폭 및 송신
3) 적용목적 FSK(Frequency Shift Keying)는 주파수 편이 변조로 반송파 신호 주파수를 변조하여 digital data를 송신 하는데 data인 pulse신호에 Gaussion Filter로 slice해서 Carrier Signal에 변조시키면 전파법규중 점유주파수 대역폭을 만족시키는데 원활하며, 신호 구현시 효율적이고, RF Link의 품질과 신뢰성을 향상시켜줍니다.
좀더 세부 사항은 메일로 송부드리도록 하겠습니다.
안녕하세요 시계제작관련하여 문의드립니다
안녕하세요. 저희 보드에 시계를 얹으려고 노력중에 귀사 사이트를 찾게 되었습니다.
아까 저희 직원이 크리스탈을 사러 가서 홈페이지에 글을 올리면 도움을 받을수 있다하여 몇가지 문의 드립니다.
현재 ds1302 칩에 s561이라써있는 크리스탈을 연결해 테스트를 해보는데 값을 읽거나 쓰는데는 아무런 문제가 없는데 시간이 시간당 한3초 정도 늦어져서 어찌해야 할지 모르겠네요.
회로 연결은 인터넷에 있는 ds1302연결 회로대로 구성하였습니다.
어느부분을 어떻게 해줘야 늦어지는 현상을 없앨수 있는지 꼭 좀 조언 부탁드립니다.
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1.서론당사에서 구매하신 제품의 CL값을 확인하지 못했습니다.그러나 현재 나타난 현상으로봐서 IC designer가 제안한 6[pF]을 적용한것으로 사료됩니다.만약 일반적으로 제공되는 12.5[pF]인 시료를 적용했다면 시간은 빨라질 가능성이 높습니다.
2.IC designer가 제안한 주요 spec.
ⓐNominal Frequency : 32.768[KHz]
ⓑFrequency Tolerance : ±20[ppm]
ⓒLoad Capacitance : 6[pF]
ⓓ E.S.R : 45[KΩ] max
ⓔ Shunt Capa. : 1.1[pF] typ/1.8[pF]maxⓕ Drive Level : 1[uW] max
3.의견
1) "2항"과 같은 spec.인 제품을 적용했는데 시간이 늦어졌다면 Stray Capacitance에서 IC designer 가 적용한 값보다 큰것으로 사료됩니다.
따라서 나머지 spec.은 동일하고 CL만 9[pF]또는12.5[pF]인 시료를 적용후 평가바랍니다.
2) 정도가 높은 RTC IC는 C-array로 시간을 조정하게 되어있는데 DS1302에는 CL1/CL2가 fix되어 있는 것으로 서술되어있어 freq. tolerance(±20ppm)만큼 경과 시간에 따른 오차가 발생될수밖에 없습니다.
또한 주변 온도가 25℃보다 높거나 낮아도 시간을 지연시키는 원인이 됩니다.
3) 따라서 시계용으로 조건을 설정할때는 1년간 평균 온도를 산출해서 setting은 항상 산출된 조건 만큼 빠르게 설정해야 됩니다.
4) 가변콘덴서를 외부에 적용해서 임의로 주파수를 조정하는 방법도 있습니다만 CL값이 높아지면 소비전력이 커지는것으로 IC designer가 설명하고 있어 이런 조건을 감안한 회로 구성이 필요합니다.
5) 오차에 대한 해결에 문제가 있을 경우 당사에 관련 내용(set등)을 보내주시면 평가후 의견을 제안 드리겠습니다.
아까 저희 직원이 크리스탈을 사러 가서 홈페이지에 글을 올리면 도움을 받을수 있다하여 몇가지 문의 드립니다.
현재 ds1302 칩에 s561이라써있는 크리스탈을 연결해 테스트를 해보는데 값을 읽거나 쓰는데는 아무런 문제가 없는데 시간이 시간당 한3초 정도 늦어져서 어찌해야 할지 모르겠네요.
회로 연결은 인터넷에 있는 ds1302연결 회로대로 구성하였습니다.
어느부분을 어떻게 해줘야 늦어지는 현상을 없앨수 있는지 꼭 좀 조언 부탁드립니다.
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1.서론당사에서 구매하신 제품의 CL값을 확인하지 못했습니다.그러나 현재 나타난 현상으로봐서 IC designer가 제안한 6[pF]을 적용한것으로 사료됩니다.만약 일반적으로 제공되는 12.5[pF]인 시료를 적용했다면 시간은 빨라질 가능성이 높습니다.
2.IC designer가 제안한 주요 spec.
ⓐNominal Frequency : 32.768[KHz]
ⓑFrequency Tolerance : ±20[ppm]
ⓒLoad Capacitance : 6[pF]
ⓓ E.S.R : 45[KΩ] max
ⓔ Shunt Capa. : 1.1[pF] typ/1.8[pF]maxⓕ Drive Level : 1[uW] max
3.의견
1) "2항"과 같은 spec.인 제품을 적용했는데 시간이 늦어졌다면 Stray Capacitance에서 IC designer 가 적용한 값보다 큰것으로 사료됩니다.
따라서 나머지 spec.은 동일하고 CL만 9[pF]또는12.5[pF]인 시료를 적용후 평가바랍니다.
2) 정도가 높은 RTC IC는 C-array로 시간을 조정하게 되어있는데 DS1302에는 CL1/CL2가 fix되어 있는 것으로 서술되어있어 freq. tolerance(±20ppm)만큼 경과 시간에 따른 오차가 발생될수밖에 없습니다.
또한 주변 온도가 25℃보다 높거나 낮아도 시간을 지연시키는 원인이 됩니다.
3) 따라서 시계용으로 조건을 설정할때는 1년간 평균 온도를 산출해서 setting은 항상 산출된 조건 만큼 빠르게 설정해야 됩니다.
4) 가변콘덴서를 외부에 적용해서 임의로 주파수를 조정하는 방법도 있습니다만 CL값이 높아지면 소비전력이 커지는것으로 IC designer가 설명하고 있어 이런 조건을 감안한 회로 구성이 필요합니다.
5) 오차에 대한 해결에 문제가 있을 경우 당사에 관련 내용(set등)을 보내주시면 평가후 의견을 제안 드리겠습니다.
ppm 이 무슨뜻입니까?
안녕하십니까, 기본적인 사항을 모르고 있어서 부끄럽지만 글을 올립니다.
Crystal Oscillator의 스펙을 보면 Freq. Tolerance값이 +-25ppm 혹은 +-50ppm 이렇게 표기되는데 ppm의 의미가 뭔지 잘 모르겠습니다.
쉽게 25MHz Crystal Oscillator에서 +-25ppm의 Freq. Tolerance를 갖는다면 그 의미가 어떻게 되는지 기술적으로 알려주시면 감사하겠습니다.
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1.PPM은part per million(100만분의 1)을 의미합니다.
2.해설
1) Let.
ⓐ Nominal Frequency : 25.000MHz OSC
ⓑ 사용온도범위 : 0℃ ~ 50℃
ⓒ Frequency Tolerance/Stability : ±25ppm2)의미25[MHz] OSC를 0℃~50℃ 온도범위에서 사용하며,Set 동작에서 error가 발생되지 않는 주파수deviation의 허용범위는24,999,375[Hz]~25,000,625[Hz]를 의미합니다.
3) 계산사례
ⓐ ±25ppm = ±(25 ×10∧-6)
ⓑ 그러므로 25,000,000Hz×(25 ×10∧-6)=625Hz
ⓒ 25,000,000-625=24,999,375Hz25,000,000+625=25,000,625Hz
3. 기타
ⓐ Frequency Tolerance: 25℃에서의 주파수 편차를 의미하며,
ⓑ Frequency Stability: 사용온도 범위에서 주파수가 변화하는 정도를의미합니다.
OSC에서는 상기 두조건을 합친 Overall로 spec.을 적용합니다.
Crystal Oscillator의 스펙을 보면 Freq. Tolerance값이 +-25ppm 혹은 +-50ppm 이렇게 표기되는데 ppm의 의미가 뭔지 잘 모르겠습니다.
쉽게 25MHz Crystal Oscillator에서 +-25ppm의 Freq. Tolerance를 갖는다면 그 의미가 어떻게 되는지 기술적으로 알려주시면 감사하겠습니다.
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1.PPM은part per million(100만분의 1)을 의미합니다.
2.해설
1) Let.
ⓐ Nominal Frequency : 25.000MHz OSC
ⓑ 사용온도범위 : 0℃ ~ 50℃
ⓒ Frequency Tolerance/Stability : ±25ppm2)의미25[MHz] OSC를 0℃~50℃ 온도범위에서 사용하며,Set 동작에서 error가 발생되지 않는 주파수deviation의 허용범위는24,999,375[Hz]~25,000,625[Hz]를 의미합니다.
3) 계산사례
ⓐ ±25ppm = ±(25 ×10∧-6)
ⓑ 그러므로 25,000,000Hz×(25 ×10∧-6)=625Hz
ⓒ 25,000,000-625=24,999,375Hz25,000,000+625=25,000,625Hz
3. 기타
ⓐ Frequency Tolerance: 25℃에서의 주파수 편차를 의미하며,
ⓑ Frequency Stability: 사용온도 범위에서 주파수가 변화하는 정도를의미합니다.
OSC에서는 상기 두조건을 합친 Overall로 spec.을 적용합니다.
크리스탈 오실레이터 문의
PLL회로의 reference clock으로 사용할 목적으로 130MHz의 크리스탈 오실레이터를 구매하려고 합니다.
홈페이지를 둘러보니 UM-시리즈와 SCO-020등의 오실레이터가 있는거 같은데요..
다리 두개짜리와 다리 4개짜리의 차이는 무엇인지 궁금합니다.
저희가 사용할 만한 130MHz 크리스탈 오실레이터가 어떤게 있을지요.
크리스탈 오실레이터 구매가 처음이라 주문을 어떻게 해야할지 잘 모르겠습니다.
사용 가능한 부품이 어떤건지 회로구성은 어떻게 해야 되는지가 궁금합니다.빠른 답변 부탁드립니다.
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1.UM시리즈와 SCO-020의 차이점
1) UM 시리즈
ⓐ 수정진동자로 수동소자입니다.
ⓑ 별도로 구성된 발진회로와 수정진동자가 결합되어야 원하는 발진 주파수를 얻을수 있습니다.
2) SCO-020
ⓐ Oscillator로 능동소자 입니다.
ⓑ SCO-020은 발진회로와 수정진동자가 이미 결합 되어있는 device입니다.
ⓒ Vdd pin에 전원을 인가하면 원하는 출력주파수를 얻을수 있습니다.
2. 발진회로 관련 의견 및 제안사항주파수 정확도 또는 pullability특성을 이용해서 다양한 정보신호를 활용해야 되는 경우 수정진동자와 별도의 발진회로를 구성하는것이 바람직 한것으로 사료 됩니다.
그러나 사용하시고자하는 PLL IC에는 발진단이 있으며 사용조건에 대해 제안이 되어 있으므로 조건에 맞추어 design하시면 문제가 없는것으로 사료됩니다.
그러나 확인이 어려울 경우 적용할 계획이신 IC에대해 정보를 주시면 확인후 적용조건이 올바른 수정진동자의 조건설정 과 발진단 조건을 제안드리릴수 있습니다.
▶참고로 130MHz의 발진주파수를 얻는방법은 다음과 같습니다.
1) UM-시리즈 적용시
ⓐ CF5020ALD(NPC社)IC 적용
ⓑ 3rd 수정진동자 적용
상기 device가 조합한 발진회로를 구성하면 130[MHz] 신호를 얻을수 있습니다.
2) Oscillator 적용시
SCO-020 or SCO-130 model을 적용하면 원하는 신호를 얻을수 있습니다.
3) "1)항"에서 수정진동자로 구성된 회로에 freq. adjustment가 되도록 design되었을때 OSC보다 정확한 주파수를 얻을수 있습니다.
3. 기타
1) 수정진동자를 발주하실 경우 발진회로 및 IC 에 대한 정보를 제공해 주시면 당사에서 평가후 올바른 수정진동자 조건을 설정후 제품을 제공 드리게 되며,
2) SCO-020 발주시
- 발진 주파수
- 허용되는 주파수 편차 및 사용온도 범위
- supply voltage
- Load 조건
상기와 같은 내용을 당사에 알려주시면 검토후 조건에 맞는 제품을 제공드리게 됩니다.
홈페이지를 둘러보니 UM-시리즈와 SCO-020등의 오실레이터가 있는거 같은데요..
다리 두개짜리와 다리 4개짜리의 차이는 무엇인지 궁금합니다.
저희가 사용할 만한 130MHz 크리스탈 오실레이터가 어떤게 있을지요.
크리스탈 오실레이터 구매가 처음이라 주문을 어떻게 해야할지 잘 모르겠습니다.
사용 가능한 부품이 어떤건지 회로구성은 어떻게 해야 되는지가 궁금합니다.빠른 답변 부탁드립니다.
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1.UM시리즈와 SCO-020의 차이점
1) UM 시리즈
ⓐ 수정진동자로 수동소자입니다.
ⓑ 별도로 구성된 발진회로와 수정진동자가 결합되어야 원하는 발진 주파수를 얻을수 있습니다.
2) SCO-020
ⓐ Oscillator로 능동소자 입니다.
ⓑ SCO-020은 발진회로와 수정진동자가 이미 결합 되어있는 device입니다.
ⓒ Vdd pin에 전원을 인가하면 원하는 출력주파수를 얻을수 있습니다.
2. 발진회로 관련 의견 및 제안사항주파수 정확도 또는 pullability특성을 이용해서 다양한 정보신호를 활용해야 되는 경우 수정진동자와 별도의 발진회로를 구성하는것이 바람직 한것으로 사료 됩니다.
그러나 사용하시고자하는 PLL IC에는 발진단이 있으며 사용조건에 대해 제안이 되어 있으므로 조건에 맞추어 design하시면 문제가 없는것으로 사료됩니다.
그러나 확인이 어려울 경우 적용할 계획이신 IC에대해 정보를 주시면 확인후 적용조건이 올바른 수정진동자의 조건설정 과 발진단 조건을 제안드리릴수 있습니다.
▶참고로 130MHz의 발진주파수를 얻는방법은 다음과 같습니다.
1) UM-시리즈 적용시
ⓐ CF5020ALD(NPC社)IC 적용
ⓑ 3rd 수정진동자 적용
상기 device가 조합한 발진회로를 구성하면 130[MHz] 신호를 얻을수 있습니다.
2) Oscillator 적용시
SCO-020 or SCO-130 model을 적용하면 원하는 신호를 얻을수 있습니다.
3) "1)항"에서 수정진동자로 구성된 회로에 freq. adjustment가 되도록 design되었을때 OSC보다 정확한 주파수를 얻을수 있습니다.
3. 기타
1) 수정진동자를 발주하실 경우 발진회로 및 IC 에 대한 정보를 제공해 주시면 당사에서 평가후 올바른 수정진동자 조건을 설정후 제품을 제공 드리게 되며,
2) SCO-020 발주시
- 발진 주파수
- 허용되는 주파수 편차 및 사용온도 범위
- supply voltage
- Load 조건
상기와 같은 내용을 당사에 알려주시면 검토후 조건에 맞는 제품을 제공드리게 됩니다.
크리스탈 447.675MHz 문의
상기 제품이 샘플로 필요한데 용산이나 세운상가 쪽에
현품 구입 가능한 대리점이 있는지 문의 드립니다.
없다면 우편으로 보내 주셔도 좋습니다.필요한 수량은 2개 입니다.
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방문하셔서 상담이 필요한것으로 사료됩니다.
design하신 발진단 및 채배단 조건을 알아야 올바른 시료를 드릴수 있습니다.
<일반사례>
1. Channel Freq. : 447.675MHz (Tx)
2. X-tal Freq. : 49.741667[MHz]
- 수정진동자 mode: 3rd
- 채배 : 9고조파
3. Rx : 436.975MHz
- filter : 10.7MHz
- X-tal Freq. : 87.395MHz
- 수정진동자 mode : 3rd
- 채배 : 5고조파
현품 구입 가능한 대리점이 있는지 문의 드립니다.
없다면 우편으로 보내 주셔도 좋습니다.필요한 수량은 2개 입니다.
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방문하셔서 상담이 필요한것으로 사료됩니다.
design하신 발진단 및 채배단 조건을 알아야 올바른 시료를 드릴수 있습니다.
<일반사례>
1. Channel Freq. : 447.675MHz (Tx)
2. X-tal Freq. : 49.741667[MHz]
- 수정진동자 mode: 3rd
- 채배 : 9고조파
3. Rx : 436.975MHz
- filter : 10.7MHz
- X-tal Freq. : 87.395MHz
- 수정진동자 mode : 3rd
- 채배 : 5고조파
T447.650 SS-9708 제품문의
T447.650 SS-9708 이라고 쓰여있는 수정진동자입니다.저제품이 있나요?
있다면 한개도 구입이 가능한가요..^^죄송합니다.여기저기 알아보다 이곳까지 오게되었네요.
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즉시 구입가능한 주파수는 447.675[MHz]입니다.(447.650MHz는 다소 시간이 소요됩니다.)
단. 적용조건에 대한 정확한 정보가 필요합니다.
(당사 가능 납품조건)
1. Channel Freq. : 447.675[MHz] ( 9고조파 )
2. 수정진동자 주파수 : 49.741667[MHz]
3. Load Capacitance : 20[pF]
4. Freq. tolerance : ±5ppm
5. Freq. stability : ±5ppm(at -10℃~60℃)
6. Crystal Impedance : 40Ω max
있다면 한개도 구입이 가능한가요..^^죄송합니다.여기저기 알아보다 이곳까지 오게되었네요.
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즉시 구입가능한 주파수는 447.675[MHz]입니다.(447.650MHz는 다소 시간이 소요됩니다.)
단. 적용조건에 대한 정확한 정보가 필요합니다.
(당사 가능 납품조건)
1. Channel Freq. : 447.675[MHz] ( 9고조파 )
2. 수정진동자 주파수 : 49.741667[MHz]
3. Load Capacitance : 20[pF]
4. Freq. tolerance : ±5ppm
5. Freq. stability : ±5ppm(at -10℃~60℃)
6. Crystal Impedance : 40Ω max
X-TAL 재질 문의
안녕하십니까.SMT X-Tal Lead의 재질에 대해 알고 싶습니다.
사유는 Pb Free Solder와 X-TAL의 접착성이 좋지 않은 문제가 자주 발생합니다.
이에 서로 다른 금속이기에 원인을 분석하려고 합니다.빠른 답변을 부탁드립니다.수고하십시요.
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1. 질문하신 SMT에 적용되는 수정진동자의 Holder TypePackage는 SX-1,SX-3,SX-5로 판단됩니다.
2. 이제품의 Lead 원재료는 Kovar입니다.Kovar에 무전해 Ni도금이 2~4um되어 있습니다.
3. Pb-free용 solder paste는 주로 Sn+Ag+Cu 또는 Sn+Cu+Ni로 구성되어 있습니다.
Solder Paste 특성에 따라 올바른 사용 및 관리가 된다면 냉납,crack 현상등이 발생되지 않습니다
사유는 Pb Free Solder와 X-TAL의 접착성이 좋지 않은 문제가 자주 발생합니다.
이에 서로 다른 금속이기에 원인을 분석하려고 합니다.빠른 답변을 부탁드립니다.수고하십시요.
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1. 질문하신 SMT에 적용되는 수정진동자의 Holder TypePackage는 SX-1,SX-3,SX-5로 판단됩니다.
2. 이제품의 Lead 원재료는 Kovar입니다.Kovar에 무전해 Ni도금이 2~4um되어 있습니다.
3. Pb-free용 solder paste는 주로 Sn+Ag+Cu 또는 Sn+Cu+Ni로 구성되어 있습니다.
Solder Paste 특성에 따라 올바른 사용 및 관리가 된다면 냉납,crack 현상등이 발생되지 않습니다
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