안녕하세요크리스탈 과 관련해서 질문이 있습니다.시뮬레이션을 하려 하는데요 저희가24.576MHz 등가회로의 R,L,C값을 문의하려합니다이것에 대한 정보를 알수 있는지요?
---------------------------------------------------------------------------------
● SX-1 type의 수정진동자 parameter
1) R L C 직렬공진회로
ⓐmotional inductance (L1)=2.0[mH] ~ 2.6[mH]
ⓑmotional capacitance (C1)=17[fF] ~ 21[fF]
ⓒmotional resistance (R1)=4.5[Ω] ~ 20[Ω]2)
병렬연결된 capacitance shunt capacitance (Co) = 4.5[pF] ~ 5.5[pF]
2007년 10월 22일 월요일
OSC 문의
안녕하십니까? 더운 날씨에 고생이 많으십니다.
① OSC 54Mhz가 18Mhz로 발진한다면 그 원인과 해결책
② OSC 내부의 IC가 타버리는 경우 원인상기 내용에 대하여 초보자들도 이해하기 쉽도록 설명해주시면 감사하겠습니다.수고하십시요~!!
---------------------------------------------------------------------------------
1. OSC 54Mhz가 18Mhz로 발진한다면 그 원인과 해결책
1) IC에 의해서 발생될수있는 원인 및 대책 발진회로에서 IC는 공진 대역이 형성되고 그대역에 따라 IC 종류가 구분됩니다. 대역은 협대역과 광대역으로 구분되는데 광대역 IC를 적용할 경우 54MHz로 제작된 OSC가 18MHz로 발진할수도 있습니다.
▶IC선정시 수정진동자 특성을 고려해서 선택 해야되며, 협대역 IC를 적용해야 됩니다.
2) 수정진동자에 의해 발생될수 있는 원인 및 대책 수정진동자는 기본파 제조 규격과 3rd O/T제조 규격에 차이가 있습니다. 발진과 관련된 주요 차이는 연마규격, 증착량에 차이가 있으며 특히 OSC의 경우 spring 형태의supporter로 되어 있습니다.
즉 이러한 구조는 EFD(effect fundamental device) 특성을 유도합니다. 즉 기본파 C.I보다 3rd C.I가 유효합니다.기본적인 제조조건과 차이가 있을 경우 유효한 특성을 얻을수 없습니다.
▶규정된 진동편 제조규격을 준수해야 됩니다
2. OSC 내부의 IC가 타버리는 경우 원인
1) 원인
ⓐ 전원을 역방향으로 인가했을때 IC가 파괴 됩니다.
ⓑ 보증된 인가전압 이상이 가해지면 과도전류에 의해 IC가 파괴됩니다.
ⓒ 정전기에 의해 IC가 파괴될수 있습니다.
ⓓ sink current에 의해 IC가 파괴될수 있습니다.
(OSC를 적용하는 main chip에서 OSC에 역으로 입력되는 전류)
상기와 같은 여러가지 원인에 의해 IC가 파괴됩니다. 그러나 대부분 원인은 역으로 전압이 인가되거나 과도한 인가전압에 의해 IC가 파괴되는 경우가 대부분으로 평가 됩니다.
2) 대책
정격전압, sink current 규격등 이미 규정된 규격이 있으므로 그조건에 맞도록 적용하면 됩니다. 정전기에 대한 부분은 제조업체 또는 사용자에 의해 발생될수 있으나 제조업체에서는 정전기 방지용 pad,package를 사용하고 있고 제조시 정전기 방지용 손목띠를 착용하고 작업하고 있습니다. 사용시 정전기가 발생되지 않도록 주의해서 취급 해야 됩니다.
① OSC 54Mhz가 18Mhz로 발진한다면 그 원인과 해결책
② OSC 내부의 IC가 타버리는 경우 원인상기 내용에 대하여 초보자들도 이해하기 쉽도록 설명해주시면 감사하겠습니다.수고하십시요~!!
---------------------------------------------------------------------------------
1. OSC 54Mhz가 18Mhz로 발진한다면 그 원인과 해결책
1) IC에 의해서 발생될수있는 원인 및 대책 발진회로에서 IC는 공진 대역이 형성되고 그대역에 따라 IC 종류가 구분됩니다. 대역은 협대역과 광대역으로 구분되는데 광대역 IC를 적용할 경우 54MHz로 제작된 OSC가 18MHz로 발진할수도 있습니다.
▶IC선정시 수정진동자 특성을 고려해서 선택 해야되며, 협대역 IC를 적용해야 됩니다.
2) 수정진동자에 의해 발생될수 있는 원인 및 대책 수정진동자는 기본파 제조 규격과 3rd O/T제조 규격에 차이가 있습니다. 발진과 관련된 주요 차이는 연마규격, 증착량에 차이가 있으며 특히 OSC의 경우 spring 형태의supporter로 되어 있습니다.
즉 이러한 구조는 EFD(effect fundamental device) 특성을 유도합니다. 즉 기본파 C.I보다 3rd C.I가 유효합니다.기본적인 제조조건과 차이가 있을 경우 유효한 특성을 얻을수 없습니다.
▶규정된 진동편 제조규격을 준수해야 됩니다
2. OSC 내부의 IC가 타버리는 경우 원인
1) 원인
ⓐ 전원을 역방향으로 인가했을때 IC가 파괴 됩니다.
ⓑ 보증된 인가전압 이상이 가해지면 과도전류에 의해 IC가 파괴됩니다.
ⓒ 정전기에 의해 IC가 파괴될수 있습니다.
ⓓ sink current에 의해 IC가 파괴될수 있습니다.
(OSC를 적용하는 main chip에서 OSC에 역으로 입력되는 전류)
상기와 같은 여러가지 원인에 의해 IC가 파괴됩니다. 그러나 대부분 원인은 역으로 전압이 인가되거나 과도한 인가전압에 의해 IC가 파괴되는 경우가 대부분으로 평가 됩니다.
2) 대책
정격전압, sink current 규격등 이미 규정된 규격이 있으므로 그조건에 맞도록 적용하면 됩니다. 정전기에 대한 부분은 제조업체 또는 사용자에 의해 발생될수 있으나 제조업체에서는 정전기 방지용 pad,package를 사용하고 있고 제조시 정전기 방지용 손목띠를 착용하고 작업하고 있습니다. 사용시 정전기가 발생되지 않도록 주의해서 취급 해야 됩니다.
crystal oscillator문의
crystal oscillator에 대해서 문의 드립니다.60MHz crystal oscillator가 필요한데 출력은 CW신호 Power 7dBm정도 필요한데요적당한 S/N를 알려주셨으면 합니다.
---------------------------------------------------------------------------------
1. 당사의 Oscillator중 60[MHz] 대역의 C-MOS 출력은 -8dBm ~ -10dBm에 분포하고 있습니다.( SCO-020 model인 경우 손실이 다소 적습니다.)
2. 님께서 요구하시는 CW조건과 당사의 OSC와는 차이가 있을수 있습니다.
ⓐ 당사와 관련된 OSC는 모르스 코드와 관련되었을때 Local OSC용이므로 무선통신의 직접출력과 차이가 있습니다.
ⓑ CW ( Continuous Code, Code Wave등)를 약어로 여러 분야에서 사용하고 있습니다. 따라서 당사의 제품과 원하시는 제품이 일치되는지 재확인이 필요합니다.
ⓒ 무선 햄용으로 적용할 경우 OSC를 사용하면 PLL IC에 의해 출력이 일정하지만, TR을 이용해서 수정진동자를 적용할 경우 designer가 선정한 회로 정수로 출력을 조정할수있어 편리합니다. 따라서 귀하께서 원하시는 용도는 차이가 있을수 있습니다.
---------------------------------------------------------------------------------
1. 당사의 Oscillator중 60[MHz] 대역의 C-MOS 출력은 -8dBm ~ -10dBm에 분포하고 있습니다.( SCO-020 model인 경우 손실이 다소 적습니다.)
2. 님께서 요구하시는 CW조건과 당사의 OSC와는 차이가 있을수 있습니다.
ⓐ 당사와 관련된 OSC는 모르스 코드와 관련되었을때 Local OSC용이므로 무선통신의 직접출력과 차이가 있습니다.
ⓑ CW ( Continuous Code, Code Wave등)를 약어로 여러 분야에서 사용하고 있습니다. 따라서 당사의 제품과 원하시는 제품이 일치되는지 재확인이 필요합니다.
ⓒ 무선 햄용으로 적용할 경우 OSC를 사용하면 PLL IC에 의해 출력이 일정하지만, TR을 이용해서 수정진동자를 적용할 경우 designer가 선정한 회로 정수로 출력을 조정할수있어 편리합니다. 따라서 귀하께서 원하시는 용도는 차이가 있을수 있습니다.
saw resonator / saw filter
안녕하세요?resonator 와 filter에 대해서 알고 싶습니다.
더불어 saw resonator과 saw filter도 알려 주시면 감사하겠습니다.
참고로 지금 막 전자에 입문해서 아무것도 모르오니 알기쉽게 설명해주시면 감사하겠습니다.수고하십시요~!!
---------------------------------------------------------------------------------
1.Filter 입력된 여러개의 주파수 성분중 원하는 주파수만 통과시키고 나머지 신호는 감쇄시키는 역활을 합니다.
1) Filter 특성
ⓐ 저역통과 여파기(LPF: Low Pass Filter)
: 고주파 신호는 감쇄시키고 저주파의 필요신호만 선택
ⓑ 대역통과 여파기(BPF:Band Pass Filter)
: 수신단에서 수많은 신호중 필요한 주파수만 선택
ⓒ 고역통과 여파기(HPF:High Pass Filter)
: 저주파 신호를 최소화하는데 적용
2) Filter 종류
ⓐ L.C Filter
ⓑ Ceramic Filter
ⓒ MCF(Monolithic Crystal Filter)
ⓓ SAW Filter
압전물질(LiNbO3등) 표면에 전극을 배치해서 신호가 인가되면 표면 탄성파가 발생되어 그표면 탄성파와 동조되는 특정 주파수만 통과시키고 나머지 주파수는 감쇄된다.
2. Resonator Resonance(공진)는 어떤 주파수가 같은 주파수를 만나면 더커지는 현상으로 입력된 신호의 주기와 공진 구조물(Resonator)이 가진 고유의 주기가 일치되었을때 공진이 발생됩니다.
● Resonator의 종류
ⓐ Ceramic Resonator
ⓑ Crystal Resonator
ⓒ SAW Resonator
Surface Acoustic Wave Resonator (표면 탄성파공진기)라는 소자로 표면탄성파가 고유의 신호로 적용됩니다.
더불어 saw resonator과 saw filter도 알려 주시면 감사하겠습니다.
참고로 지금 막 전자에 입문해서 아무것도 모르오니 알기쉽게 설명해주시면 감사하겠습니다.수고하십시요~!!
---------------------------------------------------------------------------------
1.Filter 입력된 여러개의 주파수 성분중 원하는 주파수만 통과시키고 나머지 신호는 감쇄시키는 역활을 합니다.
1) Filter 특성
ⓐ 저역통과 여파기(LPF: Low Pass Filter)
: 고주파 신호는 감쇄시키고 저주파의 필요신호만 선택
ⓑ 대역통과 여파기(BPF:Band Pass Filter)
: 수신단에서 수많은 신호중 필요한 주파수만 선택
ⓒ 고역통과 여파기(HPF:High Pass Filter)
: 저주파 신호를 최소화하는데 적용
2) Filter 종류
ⓐ L.C Filter
ⓑ Ceramic Filter
ⓒ MCF(Monolithic Crystal Filter)
ⓓ SAW Filter
압전물질(LiNbO3등) 표면에 전극을 배치해서 신호가 인가되면 표면 탄성파가 발생되어 그표면 탄성파와 동조되는 특정 주파수만 통과시키고 나머지 주파수는 감쇄된다.
2. Resonator Resonance(공진)는 어떤 주파수가 같은 주파수를 만나면 더커지는 현상으로 입력된 신호의 주기와 공진 구조물(Resonator)이 가진 고유의 주기가 일치되었을때 공진이 발생됩니다.
● Resonator의 종류
ⓐ Ceramic Resonator
ⓑ Crystal Resonator
ⓒ SAW Resonator
Surface Acoustic Wave Resonator (표면 탄성파공진기)라는 소자로 표면탄성파가 고유의 신호로 적용됩니다.
2007년 10월 19일 금요일
HCMOS/TTL output
OSC OUTPUT에서 HCMOS/TTL OUTPUT으로 구분되는데 HCMOS와 TTL이 뭘 뜻하는지 알려주십시요..
---------------------------------------------------------------------------------
1. 서론 증폭,발진,변조등의 작용을하는 device는 실리콘과 게르마늄으로 구성한 반도체인 Transistor와 FET가 있습니다. 이를 집적화시킨것을 IC라고 합니다.
1) TR : Transistor ( transfer of a signal through a varister)
2) FET : 전계효과 트렌지스터 ( Field Effect Transistor)
2. IC (집적회로: integrated circuit ) 변천과정 TR과 동시에 다이오드나 저항을 하나의 chip에 만들게 되면서 디지탈 IC가 출현하게 되었습니다.
1) DTL(Diode Transistor Logic)
다이오드와 TR을 조합한 최초의 chip형태로 NAND와 AND 논리회로에 응용
2) MDTL(Modified DTL)
DTL에 다이오드와 TR 추가로 level shift와 증폭작용으로 출력드라이브 능력 개선
3) TTL (Transistor Transistor Logic)
입력단이 multi emitter Transistor 형식으로 구성하고 출력단은 totem-pole 형식으로 되어있어 동작 속도가 현저히 개선됨
4) LS TTL ( Low power Sehottky TTL)
소비전력이나 동작속도 개선
5) C-MOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor)
전계효과 트렌지스터 구조에서 P채널과 N채널을 조합하여 만들어진 IC
6) HCMOS ( High Speed CMOS)
TTL계는 고속으로 동작하나 소비전력이 크고, CMOS는 소비전력이 적으나 고속으로 동작되지 못해 TR과 FET를 결합해서 소비전력과 응답속도를 개선한 device
---------------------------------------------------------------------------------
1. 서론 증폭,발진,변조등의 작용을하는 device는 실리콘과 게르마늄으로 구성한 반도체인 Transistor와 FET가 있습니다. 이를 집적화시킨것을 IC라고 합니다.
1) TR : Transistor ( transfer of a signal through a varister)
2) FET : 전계효과 트렌지스터 ( Field Effect Transistor)
2. IC (집적회로: integrated circuit ) 변천과정 TR과 동시에 다이오드나 저항을 하나의 chip에 만들게 되면서 디지탈 IC가 출현하게 되었습니다.
1) DTL(Diode Transistor Logic)
다이오드와 TR을 조합한 최초의 chip형태로 NAND와 AND 논리회로에 응용
2) MDTL(Modified DTL)
DTL에 다이오드와 TR 추가로 level shift와 증폭작용으로 출력드라이브 능력 개선
3) TTL (Transistor Transistor Logic)
입력단이 multi emitter Transistor 형식으로 구성하고 출력단은 totem-pole 형식으로 되어있어 동작 속도가 현저히 개선됨
4) LS TTL ( Low power Sehottky TTL)
소비전력이나 동작속도 개선
5) C-MOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor)
전계효과 트렌지스터 구조에서 P채널과 N채널을 조합하여 만들어진 IC
6) HCMOS ( High Speed CMOS)
TTL계는 고속으로 동작하나 소비전력이 크고, CMOS는 소비전력이 적으나 고속으로 동작되지 못해 TR과 FET를 결합해서 소비전력과 응답속도를 개선한 device
문의
크리스탈을 써서 Freq Tolerance ppm이 오실레이터와 같이 25ppm정도로 가능하게 하려면주변 reference회로를 받을 수 있는지도 문의드립니다.
---------------------------------------------------------------------------------
1. 수정진동자를 이용해서 발진회로를 구성할때 주파수 편차에 대한 구분은
ⓐ R.T : 25℃에서의 주파수편차(freq. tolerance)와
ⓑ T.C : 온도변화 (ex. -10℃~60℃)에 따른 주파수 변화(freq. stability)로 구분됩니다.
2. Oscillator에서의 ±25ppm은 R.T와 T.C를 포함한 Overall값으로 표기 합니다.따라서 귀하께서 질문하신 ±25ppm은 Overall 개념으로 간주하고 서술 드리겠습니다.
3. 의견
1) 수정진동자의 R.T 및 T.C spec.이 각각 ±10ppm으로 제작된 수정진동자를 사용하는 방법이 일반적이지만 cost가 높습니다.
2) 또다른 방법은 가변콘덴서를 적용해서 freq. tolerance를 "Zero"ppm으로 조정하고, freq. stability spec.이 ±20ppm인 제품을 적용하는 방법도 있습니다.
단. R.T spec은 가변콘덴서의 가변 범위에 따라 정해집니다.
3) 발진회로는 Philips Semiconductors의 HEX inverter 74HCU04의 data sheet중 7page 회로 조건을 적용하면 됩니다.
단. 입력단에 가변콘덴서를 적용해서 freq. tolerance가 "zero"ppm이 되는 가변 범위를 freq. tolerance(R.T) spec.으로 정하면 됩니다.
---------------------------------------------------------------------------------
1. 수정진동자를 이용해서 발진회로를 구성할때 주파수 편차에 대한 구분은
ⓐ R.T : 25℃에서의 주파수편차(freq. tolerance)와
ⓑ T.C : 온도변화 (ex. -10℃~60℃)에 따른 주파수 변화(freq. stability)로 구분됩니다.
2. Oscillator에서의 ±25ppm은 R.T와 T.C를 포함한 Overall값으로 표기 합니다.따라서 귀하께서 질문하신 ±25ppm은 Overall 개념으로 간주하고 서술 드리겠습니다.
3. 의견
1) 수정진동자의 R.T 및 T.C spec.이 각각 ±10ppm으로 제작된 수정진동자를 사용하는 방법이 일반적이지만 cost가 높습니다.
2) 또다른 방법은 가변콘덴서를 적용해서 freq. tolerance를 "Zero"ppm으로 조정하고, freq. stability spec.이 ±20ppm인 제품을 적용하는 방법도 있습니다.
단. R.T spec은 가변콘덴서의 가변 범위에 따라 정해집니다.
3) 발진회로는 Philips Semiconductors의 HEX inverter 74HCU04의 data sheet중 7page 회로 조건을 적용하면 됩니다.
단. 입력단에 가변콘덴서를 적용해서 freq. tolerance가 "zero"ppm이 되는 가변 범위를 freq. tolerance(R.T) spec.으로 정하면 됩니다.
GFSK 블루투스변조방식
크리스탈과 상관 없는 내용을 올려 죄송합니다.블루투스변조방식인 GFSK에 대해 알고 싶어 글을 올립니다.
answlgur83@hotmail.com로 빠른 답변 부탁드립니다.
---------------------------------------------------------------------------------
1) GFSK는 Gaussian Frequency Shift Keying이라고 합니다.
2) 구조 데이타 입력
▶Gaussian Filter
▶FSK변조
▶증폭 및 송신
3) 적용목적 FSK(Frequency Shift Keying)는 주파수 편이 변조로 반송파 신호 주파수를 변조하여 digital data를 송신 하는데 data인 pulse신호에 Gaussion Filter로 slice해서 Carrier Signal에 변조시키면 전파법규중 점유주파수 대역폭을 만족시키는데 원활하며, 신호 구현시 효율적이고, RF Link의 품질과 신뢰성을 향상시켜줍니다.
좀더 세부 사항은 메일로 송부드리도록 하겠습니다.
answlgur83@hotmail.com로 빠른 답변 부탁드립니다.
---------------------------------------------------------------------------------
1) GFSK는 Gaussian Frequency Shift Keying이라고 합니다.
2) 구조 데이타 입력
▶Gaussian Filter
▶FSK변조
▶증폭 및 송신
3) 적용목적 FSK(Frequency Shift Keying)는 주파수 편이 변조로 반송파 신호 주파수를 변조하여 digital data를 송신 하는데 data인 pulse신호에 Gaussion Filter로 slice해서 Carrier Signal에 변조시키면 전파법규중 점유주파수 대역폭을 만족시키는데 원활하며, 신호 구현시 효율적이고, RF Link의 품질과 신뢰성을 향상시켜줍니다.
좀더 세부 사항은 메일로 송부드리도록 하겠습니다.
피드 구독하기:
글 (Atom)