아래 내용에 대한 자세한 설명 좀 부탁 드립니다.
리액턴스가 용량성이면 공진 주파수가 pulling되고, 유도성이면 push됩니다.
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1.용어의 의미발진단에서 수정진동자와 합성된 device가 capacitance 일때는 main response를
"끌어올린다"는 뜻으로pulling 이라고 표현했고, 공식 용어이지만 "push"는 수정 진동자와 합성된 device가 inductance일때 main response를 "끌어내린다"는 뜻으로 서로간의 구분 및 혼돈을 피하기 위해 당사에서만 사용하는 용어입니다.
2. 서술수정진동자와 capacitance가 합성하면 수정진동자의 parameter는 변화합니다.
예를들면
C1'=(C1)/[{(1+Co/C1)^2}+{(C1/Cx)(1+Co/Cx)]C0'=(C0*Cx)/(Co+Cx)L1'=L1(1+C0/Cx)로 변환되 주파수를 pulling시키는 결과가 나타납니다.
3. 측정치일반적인 예로
1)Let수정진동자 f=9.994950[MHz]
2) 이 수정진동자에 10[pF]의 capacitance가 연결되면 수정진동자의 주파수는 10,003,000Hz로 pulling 됩니다만
3) 이 수정진동자에 1.0[uH]의 inductance가 연결되면 수정진동자의 주파수는 9,994,425[Hz]로 push 됩니다
gm(mutual conductance)는 Tr 또는 FET 등가회로에서특성 평가를 위한 factor중 하나입니다.
1. Tr version(Tr등가회로에서)gm=Emitter 전류변화량/Base 전압변화량hfe*ib=gm*vb'e=gm*rb'e*ib
2. FET version(J or MOS FET 등가회로에서)gm=Drain 전류변화량/Gate 전압변화량id=gm*vgs+(1/rd)*vds으로 간략화 시킬수 있습니다.
예를들면
TR version에서 회로측의 impedance를 계산하면ZL=-R+jXL=-[gm/{w^2(Cb'e+C1)C2}]+[1/{jw(Cb'e+C1)}]+1/jwC2 입니다.이값은 발진단의 부성저항을 계산할수있는 중요 factor 입니다.
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